金属硬质掩模结构的修复方法

摘要

本发明公开了一种金属硬质掩模结构的修复方法，对产生金属硬质掩膜层缺陷的半导体器件，通过刻蚀及化学机械研磨去除器件中有缺陷的金属层间介质层，使其回到制备该层金属层间介质层的初始结构，完成对金属硬质掩膜层缺陷的修复，然后返回正常工艺流程，从低k值介质层开始按顺序重新生长整个金属层间介质层；该方法避免了因刻蚀过程中产生的金属硬质膜层致命缺陷造成的产品报废，节约了生产成本，同时不影响电性能、良品率以及器件可靠性。

主权项

一种金属硬质掩模结构的修复方法，用于修复半导体器件上在刻蚀过程中产生缺陷的金属硬质掩模层；其中，所述半导体器件上已形成有第N层金属层以及第N+1层金属层的层间介质层，该层间介质层包括第一介质层、初始氧化层、低k介质层、第二介质层、金属硬质掩模层、第三介质层以及第四介质层；所述金属硬质掩模层在刻蚀过程中产生缺陷；其特征在于，包括如下步骤：对所述第四介质层、第三介质层以及金属硬质掩模层进行刻蚀，去除所述第四介质层、第三介质层以及金属硬质掩模层；对所述第二介质层以及低k介质层进行化学机械研磨，去除所述第二介质层以及部分低k介质层；对剩余的所述低k介质层以及所述初始氧化层进行刻蚀，去除所述剩余的低k介质层以及所述初始氧化层。