| 发明名称 | 半导体器件及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：衬底，其中限定有产品区和包围所述产品区的划片区；第一绝缘膜，形成在所述衬底上方；第一金属膜，位于所述第一绝缘膜中，所述第一金属膜以包围所述产品区的方式布置在所述划片区中；第二绝缘膜，形成在所述第一绝缘膜和所述第一金属膜上；第一沟槽，以包围所述产品区的方式被布置为比所述第一金属膜更靠内侧，并从所述第二绝缘膜的顶面延伸至深于所述第一金属膜的顶面的位置；以及第二沟槽，以包围所述第一金属膜的方式被布置为比所述第一金属膜更靠外侧，并从所述第二绝缘膜的顶面延伸至深于所述第一金属膜的所述顶面的位置。 | ||
| 申请公布号 | CN103208461A | 申请公布日期 | 2013.07.17 |
| 申请号 | CN201310017004.6 | 申请日期 | 2013.01.17 |
| 申请人 | 富士通半导体股份有限公司 | 发明人 | 和田一 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 章侃铱;张浴月 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底，其中限定有产品区和包围所述产品区的划片区；第一绝缘膜，形成在所述衬底上方；第一金属膜，位于所述第一绝缘膜中，所述第一金属膜以包围所述产品区的方式被布置在所述划片区内；第二绝缘膜，形成在所述第一绝缘膜和所述第一金属膜上；第一沟槽，以包围所述产品区的方式被布置为比所述第一金属膜更靠内侧，并从所述第二绝缘膜的顶面到达深于所述第一金属膜的顶面的位置；以及第二沟槽，以包围所述第一金属膜的方式被布置为比所述第一金属膜更靠外侧，并从所述第二绝缘膜的顶面到达深于所述第一金属膜的所述顶面的位置。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县横滨市 | ||