| 发明名称 | 提高铸造单晶硅铸锭成品率和转换效率的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种提高铸造单晶硅铸锭成品率和转换效率的方法，其特征在于，该方法包括通过化学和/或物理方法去除单晶硅籽晶表面的损伤层和应变层的步骤。本发明方法可减少高温过程中由籽晶中引入的缺陷密度，从而减少铸造单晶硅中的缺陷密度。本发明方法可以将现有的铸锭成品率提高约1个百分点以上，达到或超过现有铸造多晶硅的铸锭成品率。利用这些低缺陷密度的硅片制成的太阳能电池的光电转换效率也有明显的提升，有利于光伏产业大规模应用。 | ||
| 申请公布号 | CN103205800A | 申请公布日期 | 2013.07.17 |
| 申请号 | CN201210013750.3 | 申请日期 | 2012.01.17 |
| 申请人 | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司;江苏协鑫软控设备科技发展有限公司 | 发明人 | 武鹏;胡亚兰 |
| 分类号 | C30B11/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B11/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 何平 |
| 主权项 | 提高铸造单晶硅铸锭成品率和转换效率的方法，其特征在于，该方法包括通过化学和/或物理方法去除单晶硅籽晶表面的损伤层和应变层的步骤。 | ||
| 地址 | 221004 江苏省徐州市经济开发区杨山路88号 | ||