| 发明名称 | 具有提高的掩模选择比的蚀刻 | ||
| 摘要 | 一种具有提高的掩模选择比的蚀刻。提供了一种在等离子体处理室中在蚀刻层中蚀刻特征的方法。使蚀刻气体流入等离子体处理腔室。在特征蚀刻期间，将顶部外侧电极保持在至少150°C的温度下。使蚀刻气体形成等离子体，该等离子体蚀刻所述蚀刻层。 | ||
| 申请公布号 | CN103208420A | 申请公布日期 | 2013.07.17 |
| 申请号 | CN201210563858.X | 申请日期 | 2012.12.21 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 阿南塔·因德拉坎提;拉金德尔·迪恩赛 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 李献忠 |
| 主权项 | 一种在等离子体处理室中在布置于掩模下的电介质蚀刻层中蚀刻特征的方法，其包括：使蚀刻气体流入所述等离子体处理室内；在所述特征的所述蚀刻期间，将顶部外侧电极保持在至少150℃的温度；使所述蚀刻气体形成等离子体，所述等离子体蚀刻所述蚀刻层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||