发明名称 |
扩散和离子注入混合工艺形成的选择发射极太阳能电池 |
摘要 |
本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法。本发明太阳能电池的制造方法包括:提供一个硅基底,以及通过离子注入将掺杂剂引入基底的前面的一个或多个选择区。基底可以进行一次高温退火循环,在一次退火循环中,引入额外掺杂剂原子扩散进入基底的前面。基底的前面可以形成选择发射极,使得选择发射层的一个或多个选择区的掺杂度高于选择层其余部分的掺杂度。此外,本发明还公开了一种太阳能电池。 |
申请公布号 |
CN103210506A |
申请公布日期 |
2013.07.17 |
申请号 |
CN201180038088.0 |
申请日期 |
2011.05.17 |
申请人 |
桑艾维公司 |
发明人 |
艾吉特·罗哈吉;维杰·叶伦德;休伯特·P·戴维斯;维诺德·钱德拉塞卡朗;本·达米亚尼 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L21/263(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
广州三环专利代理有限公司 44202 |
代理人 |
王基才;王冬华 |
主权项 |
一种通过扩散和离子注入混合工艺制造选择发射极太阳能电池的方法,其包括:提供一个包括基极层的基底;通过离子注入将掺杂剂引入基极层的前面的一个或多个选择区;以及对基底进行退火处理,其中,退火处理包括将炉中的基底加热至一个温度:使额外掺杂剂扩散进入基极层的前面,其中,额外掺杂剂在退火处理期间引入炉中;以及在基极层的前面形成选择发射层,其中,基极层的前面的一个或多个选择区定义选择发射层的一个或多个选择区,一个或多个选择区的掺杂度高于选择发射层其余部分的掺杂度。 |
地址 |
美国乔治亚州诺克罗斯市桃树工业大街5775号 |