发明名称 激光二极管以及制造激光二极管的方法
摘要 本发明公开了激光二极管以及制造激光二极管的方法,一种激光二极管包括:半导体基底,由六方晶系III族氮化物半导体制成并且具有沿{2,0,-2,1}方向定向的半极性面;外延层,包括形成激光的光波导的发光层,并且形成在半导体基底的半极性面上,所述外延层使得激光的传播方向在光波导面内相对于c轴在光波导面上的投影方向以在大约8°至大约12°或者大约18°至大约29°的范围内的角度倾斜,所述光波导面包括激光的传播方向并且与半极性面平行;两个谐振器端面;第一电极;以及第二电极。
申请公布号 CN103208740A 申请公布日期 2013.07.17
申请号 CN201310003877.1 申请日期 2013.01.06
申请人 住友电气工业株式会社;索尼公司 发明人 滨口达史;高木慎平
分类号 H01S5/323(2006.01)I;H01S5/00(2006.01)I 主分类号 H01S5/323(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 余刚;吴孟秋
主权项 一种激光二极管,包括:半导体基底,由六方晶系III族氮化物半导体制成并且具有沿{2,0,‑2,1}方向定向的半极性面;外延层,包括形成激光的光波导的发光层,并且形成在所述半导体基底的所述半极性面上,所述外延层使得所述激光的传播方向在光波导面内相对于c轴在所述光波导面上的投影方向以在约8°至约12°或者约18°至约29°的范围内的角度倾斜,所述光波导面包括所述激光的传播方向并且与所述半极性面平行;两个谐振器端面,设置在所述激光的所述光波导的两端;第一电极,形成在所述外延层上;以及第二电极,形成在与所述半导体基底的所述外延层所形成在的所述半极性面相对的面上。
地址 日本大阪