发明名称 一种真空压强传感器
摘要 一种真空压强传感器,包括: 一片基底;一层半导体薄膜;一个半导体纳米线阵列;以及两片电极,其中,所述半导体薄膜粘合在所述基底上,所述半导体纳米线阵列贯穿所述半导体薄膜垂直粘合在所述基底上,所述两片电极固定于所述半导体纳米线阵列顶部。
申请公布号 CN103207046A 申请公布日期 2013.07.17
申请号 CN201310106267.4 申请日期 2013.03.29
申请人 上海理工大学 发明人 郑学军;王现英;程宏斌;谢澍梵
分类号 G01L21/00(2006.01)I 主分类号 G01L21/00(2006.01)I
代理机构 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 代理人 郁旦蓉
主权项 一种基于半导体纳米线垂直阵列的真空压强传感器,其特征在于,包括: 一片基底;一层半导体薄膜;一个半导体纳米线阵列;以及两片电极,其中,所述半导体薄膜粘合在所述基底上,所述半导体纳米线阵列贯穿所述半导体薄膜垂直粘合在所述基底上,所述两片电极固定于所述半导体纳米线阵列顶部。
地址 200093 上海市杨浦区军工路516号