发明名称 | 一种真空压强传感器 | ||
摘要 | 一种真空压强传感器,包括: 一片基底;一层半导体薄膜;一个半导体纳米线阵列;以及两片电极,其中,所述半导体薄膜粘合在所述基底上,所述半导体纳米线阵列贯穿所述半导体薄膜垂直粘合在所述基底上,所述两片电极固定于所述半导体纳米线阵列顶部。 | ||
申请公布号 | CN103207046A | 申请公布日期 | 2013.07.17 |
申请号 | CN201310106267.4 | 申请日期 | 2013.03.29 |
申请人 | 上海理工大学 | 发明人 | 郑学军;王现英;程宏斌;谢澍梵 |
分类号 | G01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | G01L21/00(2006.01)I |
代理机构 | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人 | 郁旦蓉 |
主权项 | 一种基于半导体纳米线垂直阵列的真空压强传感器,其特征在于,包括: 一片基底;一层半导体薄膜;一个半导体纳米线阵列;以及两片电极,其中,所述半导体薄膜粘合在所述基底上,所述半导体纳米线阵列贯穿所述半导体薄膜垂直粘合在所述基底上,所述两片电极固定于所述半导体纳米线阵列顶部。 | ||
地址 | 200093 上海市杨浦区军工路516号 |