基于应变的隔离材料的三维晶体管应变工程技术

摘要

本发明涉及一种基于应变的隔离材料的三维晶体管应变工程技术，在三维晶体管组态中，至少在漏极及源极区中提供一应变诱发隔离材料，借此诱发一应变，特别是在三维晶体管的PN接面处或其附近。在此情形下，可实现优异的晶体管效能，然而在一些示范具体实施例中，甚至相同类型的内部受应力隔离材料可导致P型沟道晶体管与N型沟道晶体管有优异的晶体管效能。

主权项

一种方法，其包含下列步骤：在晶体管的半导体区域的漏极区及源极区中形成一或更多个半导体鳍片，利用沟道区侧向隔开该漏极区与该源极区，该等半导体鳍片在长度方向呈长形以及有侧壁及正面；形成与该一或更多个半导体鳍片的侧壁的至少一部份侧向毗邻的应变诱发隔离材料，该隔离材料在该漏极及源极区之中的该等半导体鳍片中诱发与该长度方向垂直的应变；以及在该沟道区上形成栅电极结构。