基于绝缘栅双极晶体管/场效应晶体管的节能设备、系统和方法

摘要

一种基于绝缘栅双极晶体管/场效应晶体管的节能设备、系统和方法(1)，其中节省了额定线电压以下和/或额定电器电压以下的预定量的电压，从而节约了能量。提供相输入连接(2)以将模拟信号输入到该设备和系统(1)。磁通集中器(3)感测输入的模拟信号(20)并且过零伏点检测器(5)确定信号(20)的过零伏点(21)。识别信号(20)的正半周(22)和负半周(23)并将其发送到用于处理信号(20)的数字信号处理器(10)。通过脉冲宽度调制减小信号(20)并且输出减小的能量，从而对终端用户产生节能效果。

主权项

一种基于绝缘栅双极晶体管/场效应晶体管的节能设备，包括：至少一个相输入连接，用于将具有至少一个模拟信号的预定量的输入能量输入到所述节能设备，其中所述至少一个模拟信号是AC信号；至少一个感测装置，连接到所述至少一个相输入连接，用于感测输入到所述节能设备的所述预定量的输入能量；至少一个过零伏点检测器，与所述至少一个相输入连接电连接，用于确定所述至少一个模拟信号的至少一个过零伏点；至少一个半周识别器，与所述至少一个相输入连接电连接，用于识别所述至少一个模拟信号的至少一个正半周和所述至少一个模拟信号的至少一个负半周；至少一个逻辑设备，与所述至少一个过零伏点检测器以及至少一个半周识别器电连接，用于将所述至少一个模拟信号的所述至少一个正半周和所述至少一个模拟信号的所述至少一个负半周发送到用于处理所述至少一个模拟信号的至少一个数字信号处理器；所述至少一个数字信号处理器，与所述至少一个逻辑设备电连接，用于处理所述至少一个模拟信号；至少一个降压装置，具有至少一个驱动控制，其中所述至少一个降压装置与所述至少一个数字信号处理器电连接，用于通过向所述至少一个模拟信号提供脉冲宽度调制来减小所述预定量的输入能量，以产生减小的能量；以及至少一个相输出连接，与所述至少一个降压装置电连接，用于从所述节能设备输出所述减小的能量，其中，所述至少一个驱动控制包括：第一IGBT/FET设备，所述第一IGBT/FET设备被配置成向所述至少一个模拟信号的至少一个正半周提供脉冲宽度调制，第二IGBT/FET设备，所述第二IGBT/FET设备被配置成向所述至少一个模拟信号的至少一个负半周提供脉冲宽度调制，以及第一IGBT/FET分流控制晶体管和第二IGBT/FET分流控制晶体管，其被配置成发送开关以箝位反电动势；其中跨所述第一IGBT/FET设备连接第一二极管，并且跨所述第二IGBT/FET设备连接第二二极管：其中所述第二二极管被配置成传导所述至少一个模拟信号的所述至少一个 正半周，而所述第二IGBT/FET设备被配置成在所述第一IGBT/FET设备提供脉冲宽度调制时处于导通状态，并且所述第一二极管被配置成传导所述至少一个模拟信号的所述至少一个负半周，而所述第一IGBT/FET设备被配置成在所述第二IGBT/FET设备提供脉冲宽度调制时处于导通状态；以及其中所述第一IGBT/FET分流控制晶体管被配置成在所述第一IGBT/FET设备提供脉冲宽度调制时处于导通状态，而所述第二IGBT/FET分流控制晶体管被配置成在所述第二IGBT/FET设备提供脉冲宽度调制时处于导通状态。