半导体衬底及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体衬底以及制造这些半导体衬底的方法。本发明的目的是提供可以经济地制造的半导体衬底，利用该半导体衬底可获得高的排列密度以及良好的导电性和闭合表面。根据本发明，提供从衬底正面并完全穿过所述衬底至其后面的导电连接。从外部完全包围所述导电连接。形成具有填充有材料的开口的绝缘体。为内壁提供介电涂层和/或导电或绝缘材料。所述导电连接形成有另一开口，该开口填充有导电材料并布置在绝缘体内。形成具有没有起伏的内壁的开口，所述开口垂直于所述正面或朝向所述后面连续逐渐变细。

主权项

一种半导体衬底，其中导电连接从所述半导体衬底的正面穿过所述半导体衬底到达其后面；和绝缘体从外部完全包围所述导电连接；其中利用开口形成所述绝缘体，所述开口穿过所述半导体衬底并填充有材料，其中所述开口的内壁具有介电涂层和利用导电材料填充所述开口；所述导电连接形成在至少一个另外的开口中，所述至少一个另外的开口布置在所述绝缘体以内、穿过所述半导体衬底，并且所述至少一个另外的开口的内壁具有介电涂层以及利用导电材料填充所述至少一个另外的开口，其特征在于从所述半导体衬底(1)的所述正面直至所述后面，所述开口(2)和所述至少一个另外的开口(3)具有无阶梯内壁，所述内壁在朝向所述后面的方向上连续地逐渐变细。