发明名称 一种多晶硅还原炉
摘要 本发明公开了一种多晶硅还原炉,包括:底盘和炉体,所述炉体连接在所述底盘上且在所述炉体与所述底盘之间限定出反应腔室;四十八对电极,所述四十八对电极设在所述底盘上且分别分布在第一、第二、第三和第四圆周,所述第一、第二、第三和第四圆周为以所述底盘中心为圆心且半径依次增大的同心圆周;进气系统,所述进气系统包括设在所述底盘中部的多个喷嘴;和排气系统,所述排气系统包括多个排气口,所述排气口设在所述底盘上且位于所述第四圆周与所述炉体之间。根据本发明实施例的多晶硅还原炉,可以合理利用热能,同时也可以避免炉体内侧壁带走过多热量,可以降低热量损耗。
申请公布号 CN102351192B 申请公布日期 2013.07.17
申请号 CN201110185383.0 申请日期 2011.07.01
申请人 中国恩菲工程技术有限公司 发明人 严大洲;肖荣晖;毋克力;汤传斌;汪绍芬;姚心
分类号 C01B33/03(2006.01)I 主分类号 C01B33/03(2006.01)I
代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人 宋合成
主权项 一种多晶硅还原炉,其特征在于,包括:底盘和炉体,所述炉体连接在所述底盘上且在所述炉体与所述底盘之间限定出反应腔室;四十八对电极,所述四十八对电极设在所述底盘上且分别分布在第一、第二、第三和第四圆周,所述第一、第二、第三和第四圆周为以所述底盘中心为圆心且半径依次增大的同心圆周;进气系统,所述进气系统包括设在所述底盘中部的多个喷嘴;和排气系统,所述排气系统包括多个排气口,所述排气口设在所述底盘上且位于所述第四圆周与所述炉体之间;其中,所述多个喷嘴分别分布于第五、第六、第七和第八圆周上,所述第五、第六、第七和第八圆周均以所述底盘中心为圆心且分别位于所述第一圆周之内和第一与第二圆周、第二与第三圆周以及第三与第四圆周之间;所述多个喷嘴的数量为二十四个,其中在所述第五和第六圆周上分别均匀分布有四个喷嘴,第七和第八圆周上分别均匀分布有八个喷嘴。
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