具有悬空源漏的半导体结构及其形成方法

摘要

本发明提出一种具有悬空源漏的半导体结构，包括：衬底；形成在所述衬底之上的多个凸起结构，其中，每两个凸起结构之间具有一定间隙；形成在所述每两个凸起结构之间，且与所述两个凸起结构顶部相连的悬空薄层，其中，所述凸起结构为沟道，所述凸起结构两侧的悬空薄层为源极和漏极；和形成在所述凸起结构之上的栅堆叠。由于沟道的散热问题非常严重，因此通过采用凸起结构作为沟道可以有效解决器件的散热问题。

主权项

一种具有悬空源漏的半导体结构，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的多个凸起结构，其中，每两个凸起结构之间具有一定间隙，所述间隙小于50nm，其中，所述凸起结构从所述凸起结构的中部向顶部逐渐增大以使两个凸起结构顶部之间的间隙小于所述两个凸起结构中部之间的间隙；形成在所述每两个凸起结构之间，且与所述两个凸起结构顶部相连的悬空薄层，其中，所述悬空薄层的厚度小于10nm，所述悬空薄层通过对所述多个凸起结构退火形成，所述退火温度为800‑1350度，且在退火时气氛中含有氢气，所述凸起结构为沟道，所述凸起结构两侧的悬空薄层为源极和漏极；和形成在所述凸起结构之上的栅堆叠。