发明名称 利用热压焊球在晶圆级塑封工艺中实现超薄芯片的方法
摘要 本发明一般涉及一种超薄芯片的制备方法,更确切的说,本发明旨在提供一种利用热压焊球技术以在晶圆级塑封工艺中实现超薄芯片的方法。本发明首先在晶圆上进行植球,将焊球植于设置在芯片正面的金属衬垫上,并对晶圆进行加热,将焊球软化;之后利用一个热压板同时于所有焊球的顶端进行施压,在焊球的顶端形成一个平面化的顶面;再进行晶圆级的塑封工艺,形成覆盖在晶圆的正面的一层塑封层,其中,任意一个焊球的的顶面均暴露于该塑封层之外;最后再减薄晶圆的厚度以获得超薄芯片。
申请公布号 CN103208430A 申请公布日期 2013.07.17
申请号 CN201210026966.3 申请日期 2012.01.17
申请人 万国半导体股份有限公司 发明人 鲁军;牛志强;何约瑟;黄平;龚玉平;薛彦迅;张晓天;鲁明联
分类号 H01L21/48(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I 主分类号 H01L21/48(2006.01)I
代理机构 上海申新律师事务所 31272 代理人 竺路玲
主权项 一种利用热压焊球在晶圆级塑封工艺中实现超薄芯片的方法,其特征在于,包括以下步骤:于一晶圆所包含的芯片上进行植球,将多个焊球相对应的植于设置在芯片正面的多个金属衬垫上;对晶圆进行加热,将所述焊球软化;利用一水平无倾斜的热压板同时于所有焊球的顶端进行施压,用于在任意一个焊球的顶端形成一个平面化的顶面,以保障所有焊球的顶面均位于同一水平面;进行晶圆级的塑封工艺,形成覆盖在所述晶圆的正面并围绕在所述焊球的侧壁周围的一层塑封层,并且,任意一个焊球的的顶面均暴露于所述塑封层之外;于所述晶圆的背面进行研磨,以减薄晶圆的厚度;对所述晶圆和塑封层进行切割,其中,晶圆被切割后形成多颗从晶圆上分离的芯片,塑封层被切割后形成覆盖在所述芯片正面的塑封体,并且任意一个植于芯片正面的金属衬垫上的焊球的顶面均暴露于该塑封体之外。
地址 美国加利福尼亚州桑尼维尔奥克米德大道475号