实现浅沟道隔离的工艺方法

摘要

本发明提供了一种实现浅沟道隔离的工艺方法，包括：在半导体衬底上覆盖第一氧化层，并形成第一浅沟道隔离凹槽，沉积第一隔离层填充所述第一浅沟道隔离凹槽，对第一隔离层实施平坦化并且不露出第一氧化层，湿法刻蚀去除剩余的第一隔离层与第一氧化层，依次覆盖第二氧化层和氮化层，刻蚀所述氮化层形成第二浅沟道隔离凹槽。通过两次隔离材料的填充降低了凹槽深宽比，在相同的工艺条件下不需要引进新材料就可以提高浅沟道隔离凹槽的填充能力，同时采用的湿法刻蚀去除第一隔离层保证平坦度的同时避免了对半导体衬底可能的损伤。

主权项

一种实现浅沟道隔离的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上覆盖第一氧化层；进行曝光与刻蚀工艺，以在所述第一氧化层与半导体衬底中形成第一浅沟道隔离凹槽；沉积第一隔离层，所述第一隔离层填满所述第一浅沟道隔离凹槽；进行第一次平坦化，对所述第一隔离层实施平坦化处理并且不露出第一氧化层；进行湿法刻蚀，去除剩余的第一隔离层与所述第一氧化层；在所述半导体衬底上依次覆盖第二氧化层和氮化层；进行曝光与刻蚀工艺，刻蚀部分所述氮化层，以形成第二浅沟道隔离凹槽，所述第二浅沟道隔离凹槽与所述第一浅沟道隔离凹槽一一对应且相互对准；沉积第二隔离层；进行第二次平坦化，对所述第二隔离层实施平坦化处理，形成浅沟道隔离。