| 发明名称 | 氮化物发光二极管及制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种氮化物发光二极管，其包括：衬底，表面具有次微米图案，定义为生长区和非生长区；生长阻隔层，形成于所述衬底的非生长区，用于阻挡衬底非生长区的外延生长；发光外延层，形成于所述衬底的生长区并通过横向外延向所述非生长区延伸，覆盖所述生长阻隔层，包括n型层、发光层和p型层；其中，所述生长阻隔层的折射率小于发光外延层的折射率，且顺着所述衬底的次微米图案形成高低起伏之形貌，从而在增加发光二极管的取光界面的同时，提供发光外延层与取光界面的折射系数差异，提高取光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103208568A | 申请公布日期 | 2013.07.17 |
| 申请号 | CN201310108094.X | 申请日期 | 2013.04.01 |
| 申请人 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 发明人 | 林文禹;叶孟欣;钟志白 |
| 分类号 | H01L33/10(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/10(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 氮化物发光二极管，包括：衬底，表面具有次微米图案，定义为生长区和非生长区；生长阻隔层，形成于所述衬底的非生长区，用于阻挡衬底非生长区的外延生长； 发光外延层，形成于所述衬底的生长区并通过横向外延向所述非生长区延伸，覆盖所述生长阻隔层，包括n型层、发光层和p型层； 其中，所述生长阻隔层的折射率小于发光外延层的折射率，且顺着所述衬底的次微米图案形成高低起伏之形貌，从而在增加发光二极管的取光界面的同时，提供发光外延层与取光界面的折射系数差异。 | ||
| 地址 | 361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721－1725号 | ||