半导体器件及其制造方法、固体摄像器件和固体摄像装置

摘要

本发明提供了一种制造半导体器件及其制造方法、固体摄像器件和固体摄像装置，其中所述半导体器件的制造方法包括以下步骤：在半导体基板的表面上的绝缘层上形成晶体管的栅极；通过将第一导电类型的杂质离子注入半导体基板中而形成隔离区；在晶体管的栅极的上层上形成包括比栅极的宽度窄的开口部的掩模图案之后，通过使用该掩模图案作为掩模，在半导体基板的表面附近进行第二导电类型的杂质的离子注入，形成轻掺杂漏极区；以及在形成晶体管的栅极之后，通过将第二导电类型的杂质的离子注入至半导体基板中，形成晶体管的源极区和漏极区。本发明可避免形成漏电流路径，并且可避免晶体管短路以及晶体管的阈值电压下降。

主权项

一种制造半导体器件的方法，其包括以下步骤：在半导体基板的表面上的绝缘层上形成晶体管的栅极；通过将第一导电类型的杂质离子注入所述半导体基板中而形成隔离区；在所述晶体管的所述栅极的上层上形成包括比所述栅极的宽度窄的开口部的掩模图案之后，通过使用所述掩模图案作为掩模，在靠近所述半导体基板的所述表面的区域中进行第二导电类型的杂质的离子注入，形成轻掺杂漏极区；以及在形成所述晶体管的所述栅极之后，通过将第二导电类型的杂质的离子注入所述半导体基板中，形成所述晶体管的源极区和漏极区，其中，所述栅极的宽度是所述栅极沿所述晶体管的电流路径的宽度方向上的长度。