光刻胶的去除方法

摘要

本发明公开了一种光刻胶的去除方法，涉及集成电路元件制造领域，为解决现有技术去除光刻胶的操作周期较长，去除光刻胶的过程容易对晶片本身造成损伤的问题而发明。所述光刻胶的去除方法，包括：将等离子体刻蚀后的晶片，采用灰化工艺去除所述晶片上的残留光刻胶；用氢氟酸溶液对所述晶片进行清洗；用超纯水或去离子水对所述晶片进行冲洗；用异丙醇溶液对所述晶片进行浸泡处理。本发明适用于去除半导体晶片制造过程中产生的光刻胶。

主权项

一种光刻胶的去除方法，其特征在于，包括以下步骤：将等离子体刻蚀后的晶片，采用灰化工艺去除所述晶片上的残留光刻胶；用弱酸溶液对所述晶片进行清洗；用去离子水对所述晶片进行冲洗；用有机溶液对所述晶片进行浸泡处理；其中，在所述灰化工艺的过程中，根据预定物质的谱线强度，控制所述灰化工艺对所述残留光刻胶的去除，具体为：采用原子发射光谱法，对灰化工艺过程中的预定物质进行检测，获得所述预定物质的谱线，并通过监测所述预定物质的谱线强度，控制所述灰化工艺对所述残留光刻胶的去除。