一种可控硅纳米线阵列的制备方法

摘要

本发明提供一种可控硅纳米线阵列的制备方法，采用晶向相同的两硅衬底，进行小角度键合形成方形网格状分布的螺旋位错，由于位错引起硅表面应力分布不均，所以利用应力优先刻蚀，对这种网格分布的螺旋位错线所影响的垂向对应的区域进行刻蚀，形成正方形网格状的图形化硅岛，最后采用银催化化学腐蚀在这一图形化衬底上制备纳米线阵列。采用本发明制备的硅纳米线阵列具有很高的可控性和可靠性，纳米线阵列的分布通过硅硅小角度键合进行控制，可达到较高的精度。本发明制备方法工艺简单，效果显著，且兼容于一般的半导体工艺，适用于工业生产。

主权项

一种可控硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：1)提供SOI衬底及与所述SOI衬底的顶硅层具有相同晶向的硅衬底，键合所述顶硅层与硅衬底，其中，所述顶硅层的晶向与所述硅衬底的晶向呈预设夹角，以在键合界面形成具有网格状分布的螺旋位错的位错线；2)去除所述SOI衬底的背衬底及绝缘层以露出所述顶硅层的背表面，刻蚀所述顶硅层的背表面以在各该位错线影响的垂向对应的区域形成凹槽结构；3)在所述各该凹槽结构内形成银纳米颗粒，然后采用银催化化学腐蚀法对所述顶硅层及硅衬底进行腐蚀以形成硅纳米线阵列的制备。