发明名称 具有半导体薄膜的组合半导体装置
摘要 具有半导体薄膜的组合半导体装置一种半导体装置,包括接合到衬底的两个半导体薄膜,和将第一半导体薄膜中例如发光器件的半导体器件与第二半导体薄膜中的集成电路电连接的薄膜互连线。通常,该集成电路驱动该半导体器件。两个半导体薄膜与衬底分开形成。第一半导体薄膜可以包括半导体器件阵列。第一和第二半导体薄膜可以作为阵列被复制而接合到相同的衬底。与包含有阵列芯片和分离的驱动器芯片的常规半导体装置相比,本发明装置更小并且降低了材料成本。
申请公布号 CN1501493B 申请公布日期 2013.07.17
申请号 CN200310118175.4 申请日期 2003.11.13
申请人 日本冲信息株式会社 发明人 荻原光彦;藤原博之;安孙子一松;佐久田昌明
分类号 H01L23/52(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L27/00(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;G03G15/00(2006.01)I 主分类号 H01L23/52(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 吴立明;梁永
主权项 一种组合半导体装置,包括:衬底;多个第一半导体薄膜;第二半导体薄膜;以及第一单独互连线,所述衬底具有实质上是平的表面,所述多个第一半导体薄膜接合在所述衬底的表面上,从该表面突出地布置,作为构成所述多个第一半导体薄膜的主要材料是非晶硅、单晶硅、多晶硅以及化合物半导体中的任意一种,所述多个第一半导体薄膜的每一个独立布置并且仅包括一个半导体器件,并被形成为具有足够小的尺寸,以仅包含一个该半导体器件,所述第二半导体薄膜接合在所述衬底的相同的表面上,从该表面突出地布置,作为所述第二半导体薄膜的主要材料是再结晶硅、单晶硅、多晶硅以及化合物半导体中的任意一种,所述第二半导体薄膜包括集成电路和第一端子,所述第一和第二半导体薄膜的每一个都具有不大于10微米的厚度,在与所述衬底之间形成该厚度的台阶;以及作为导体薄膜形成的所述第一单独互连线从第一半导体薄膜的上表面越过该第一半导体薄膜的台阶、所述衬底的表面上以及第二半导体薄膜的台阶,延伸到第二半导体薄膜的上表面,所述第一单独互连线将第一半导体薄膜中的半导体器件与第二半导体薄膜中的第一端子电连接。
地址 日本东京都