发明名称 薄膜晶体管制造方法及具有该薄膜晶体管的显示器
摘要 一种薄膜晶体管制造方法以及具有由此方法制得的薄膜晶体管的有机发光二极管(OLED)显示器。根据本发明,制成OLED显示器所使用的非驱动用薄膜晶体管(包括外围电路薄膜晶体管以及开关薄膜晶体管)与OLED驱动薄膜晶体管,其有源区的多晶硅层分别通过标准激光结晶化法以及非激光结晶化法或低功率激光结晶化法形成,从而使得外围电路薄膜晶体管具有优异电学性能,例如高载流子迁移率,而OLED驱动薄膜晶体管则具有良好的稳定性,因而最后制得的显示器具有良好的发光均匀性。
申请公布号 CN101546732B 申请公布日期 2013.07.17
申请号 CN200810096612.X 申请日期 2008.04.29
申请人 群创光电股份有限公司 发明人 万德昌;刘侑宗;李淂裕
分类号 H01L21/84(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I 主分类号 H01L21/84(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 任默闻
主权项 一种有机发光二极管显示器的薄膜晶体管制造方法,该显示器包含外围电路以及若干个次像素,而各次像素具有发光组件,其特征在于:该方法包含步骤有:提供一基板层,该基板层具有第一区域与第二区域;于该基板层上形成一缓冲层;通过第一结晶化制程于该缓冲层上形成第一多晶硅层;图形化该第一多晶硅层以于该第一区域形成第一薄膜晶体管的有源区;形成第一隔离层;通过第二结晶化制程于该第一隔离层上形成第二多晶硅层,该第二结晶化制程不同于该第一结晶化制程;图形化该第二多晶硅层以于该第二区域形成第二薄膜晶体管的有源区;形成第二隔离层;以及于该第二隔离层上分别形成第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管的栅极。
地址 中国台湾新竹科学工业园区苗栗县
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