| 发明名称 | 阵列基板、显示装置及制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种阵列基板、显示装置及制作方法，涉及显示装置技术领域，利用透明氧化物有源层第二区域形成储存电容的第一电极板，增加了阵列基板的开口率。本发明实施例的阵列基板，氧化物有源层、像素电极，所述氧化物有源层包括氧化物有源层第一区域以及氧化物有源层第二区域的图案，所述像素电极与所述氧化物有源层第二区域相对应的部分形成储存电容，所述氧化物有源层第二区域构成储存电容的第一电极板，所述与氧化物有源层第二区域相对应的像素电极构成储存电容的第二电极板，所述第一电极板与第二电极板之间的膜层构成储存电容的介电质。 | ||
| 申请公布号 | CN103208506A | 申请公布日期 | 2013.07.17 |
| 申请号 | CN201310104658.2 | 申请日期 | 2013.03.28 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 成军;陈江博;孔祥永 |
| 分类号 | H01L27/32(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种阵列基板，包括：氧化物有源层、像素电极，其特征在于，所述氧化物有源层包括氧化物有源层第一区域以及氧化物有源层第二区域的图案，所述像素电极与所述氧化物有源层第二区域相对应的部分形成储存电容，所述氧化物有源层第二区域构成储存电容的第一电极板，所述与氧化物有源层第二区域相对应的像素电极构成储存电容的第二电极板，所述第一电极板与第二电极板之间的膜层构成储存电容的介电质。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||