一种制程简化的肖特基器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种制程简化的肖特基器件及制造方法；该肖特基器件为台面结构，加工的制程中使用2次光刻，较传统的肖特基器件需要3次光刻，生产制程简化，降低了制造成本。

主权项

一种制程简化的肖特基器件，其特征在于：A、背面金属层（1），为器件的阴极，用于导电焊接的金属材料；B、衬底层（2），为高浓度N传导类型半导体材料；C、外延层（3），为低浓度N传导类型半导体材料；D、势垒层（4），为由薄膜势垒金属与外延层（3）顶部的N型半导体材料合金形成的肖特基势垒层；E、正面金属层（5），为器件的阳极，用于导电焊接的金属材料；F、隔离层（6），为有机绝缘材料；G、台面腐蚀槽（7），为衬底层（2）、外延层（3）的N传导类型半导体材料腐蚀后的表面层，被隔离层（6）覆盖的部分；H、台面腐蚀划片线（8），为衬底层（2）的N传导类型半导体材料腐蚀后的表面层，无隔离层（6）覆盖的部分。