一种双重深度沟槽形成方法

摘要

一种双重深度沟槽形成方法，包括，提供半导体衬底，所述半导体衬底依次包括硅衬底，埋氧层，阻挡层，氧化层；所述半导体衬底包括像素区域和外围区域；在所述氧化层上形成光刻胶图形；以光刻胶图形为掩膜，对氧化层进行离子注入并退火，在所述外围区域的氧化层内形成离子注入层；刻蚀氧化层、阻挡层、埋氧层和硅衬底形成第一沟槽和第二沟槽；所述第一沟槽的深度小于第二沟槽的深度。本发明能够有效地提高CMOS图像传感器图像质量。

主权项

一种双重深度沟槽形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底依次包括硅衬底，埋氧层，阻挡层，氧化层；所述半导体衬底包括像素区域和外围区域；在所述氧化层上形成光刻胶图形；以光刻胶图形为掩膜，对氧化层进行N离子注入并退火，在所述外围区域的氧化层内形成离子注入层；在所述氧化层和离子注入层上形成第二光刻胶图形，选择氮化物刻蚀率与氧化物刻蚀率比率为4：1～8：1的刻蚀制程，以所述第二光刻胶图形为掩膜，刻蚀直至暴露出外围区域的阻挡层；以所述第二光刻胶图形为掩膜，采用各向异性等离子体刻蚀工艺刻蚀直至暴露出外围区域衬底硅；以所述第二光刻胶图形为掩膜，选择氧化物刻蚀率与氮化物刻蚀率比率为2：1～4：1的刻蚀制程，同时刻蚀直至形成在像素区域的第一沟槽和在外围区域的第二沟槽；所述第一沟槽的深度小于第二沟槽的深度。