使用单个掩模形成磁性隧道结的方法

摘要

本发明提供一种用于将磁性隧道结(MTJ)装置集成到集成电路中的方法，其包括在半导体后段工艺(BEOL)工艺流程中提供具有第一层间电介质层(36)及至少第一金属互连件(37)的衬底。在所述第一层间电介质层及所述第一金属互连件上方，沉积磁性隧道结材料层(2、32、12、11、6)。使用单掩模工艺由所述材料层界定耦合到所述第一金属互连件的磁性隧道结堆叠。所述磁性隧道结堆叠被集成到所述集成电路中。

主权项

一种用于将磁性隧道结装置集成到集成电路中的方法，其包含：在半导体后段工艺工艺流程中提供具有第一层间电介质层及至少第一金属互连件和第三金属互连件的衬底；在所述第一层间电介质层及所述第一金属互连件上直接沉积多个磁性隧道结材料层；使用单掩模工艺由所述多个磁性隧道结材料层界定耦合到所述第一金属互连件的磁性隧道结堆叠，所述磁性隧道结堆叠被集成到所述集成电路中，其中所述第三金属互连件远离所述磁性隧道结堆叠而定位；在所述磁性隧道结堆叠及所述衬底上沉积第一电介质钝化阻挡层；在所述第一电介质钝化阻挡层上沉积第二层间电介质层；以及在所述第二层间电介质及所述第一电介质钝化阻挡层中形成经定位以与所述第三金属互连件连通的导电通路。