一种肖特基超结半导体装置及其制备方法

摘要

本发明公开了一种肖特基超结半导体装置，因为超结结构的存在，提高器件的反向击穿电压，改善器件的正向导通特性；同时器件正向导通为单个载流子导电的器件，器件具有良好的开关特性。本发明还提供了一种超结肖特基半导体装置的制备方法。

主权项

一种具有肖特基超结半导体装置，其特征在于：包括：衬底层，为半导体材料构成；超结结构，位于衬底层之上，为第一导电半导体材料和第二导电半导体材料相互排列构成，并且第一导电半导体材料和第二导电半导体材料之间有绝缘介质；第一类型肖特基势垒结，位于超结结构的第一导电半导体材料表面；第二类型肖特基势垒结，位于超结结构的第二导电半导体材料表面。