| 发明名称 | 半导体存储器件、存储芯片、存储模块、存储系统及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体存储器件、存储芯片、存储模块、存储系统及其制造方法。公开了一种即使在高集成度的条件下也能容易地控制导线与存储层之间的接触面积的半导体存储器件及其制造方法。所述半导体存储器件包括：多个第一导线；存储层，所述存储层与第一导线中的每个的第一侧壁接触；以及多个第二导线，所述多个第二导线与第一导线交叉并与存储层接触。 | ||
| 申请公布号 | CN103208481A | 申请公布日期 | 2013.07.17 |
| 申请号 | CN201210347798.8 | 申请日期 | 2012.09.18 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 崔惠晶 |
| 分类号 | H01L23/528(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/528(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 石卓琼;俞波 |
| 主权项 | 一种半导体存储器件，包括：多个第一导线；存储层，所述存储层与所述第一导线中的每个的第一侧壁接触；以及多个第二导线，所述多个第二导线与所述第一导线交叉并与所述存储层接触。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||