| 发明名称 | 腔室加热装置 | ||
| 摘要 | 公开了一种腔室加热装置，包括：腔室壁加热结构和/或载片台加热结构；所述腔室壁加热结构设置在反应腔室的内壁上；所述载片台加热结构设置在载片台底部。本发明提供的一种腔室加热装置，例如在等离子体刻蚀工艺中可以减小或避免等离子体启辉由于结构不对称引起的不均匀现象的出现；在等离子体启辉条件下，本发明的电极固定结构没有放气现象，可以保持真空腔室对真空度的要求。 | ||
| 申请公布号 | CN103208440A | 申请公布日期 | 2013.07.17 |
| 申请号 | CN201210014888.5 | 申请日期 | 2012.01.17 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 席峰;李楠;李勇滔;张庆钊;夏洋 |
| 分类号 | H01L21/67(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;H01J37/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/67(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 刘丽君 |
| 主权项 | 一种腔室加热装置，其特征在于，包括：腔室壁加热结构和/或载片台加热结构；所述腔室壁加热结构设置在反应腔室的内壁上；所述载片台加热结构设置在载片台底部。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||