发明名称 |
Si掺杂GaN稀磁半导体粉体的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了Si掺杂GaN稀磁半导体粉体的制备方法,属于半导体材料及其制备的技术领域。采用高纯Ga2O3粉作为Ga源、高纯Si粉或SiO粉作为Si源、高纯NH3气作为N源。将Ga2O3粉和Si粉或SiO粉充分混合均匀。然后将混合好的粉末置于陶瓷舟中,并将陶瓷舟置于水平管式炉中间,然后对管式炉抽真空。最后通入Ar气,进行加热。当温度达到1050℃时,通入的Ar气被替换为250sccm的NH3气并保温3小时后停止加热,在Ar气环境下自然冷却到室温。最后在陶瓷舟中得到淡黄色的粉末。经HF、HNO3和HCI混合溶液清洗后烘干,得到样品。本发明的特点是:方法简单,成本低,产率高,对环境危害小,易于推广。 |
申请公布号 |
CN103204681A |
申请公布日期 |
2013.07.17 |
申请号 |
CN201310165324.6 |
申请日期 |
2013.05.08 |
申请人 |
新疆大学 |
发明人 |
简基康;阿瓦拜克力.肉苏里;吴荣;李锦;孙言飞 |
分类号 |
C04B35/58(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/58(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
Si掺杂GaN稀磁半导体粉体的制备方法:采用直接氮化反应法,制备了Si掺杂GaN稀磁半导体粉体,所用设备系统由水平管式炉、气路系统和真空系统组成;以高纯Ga2O3(99.999%)粉作为Ga源,高纯Si(99.99%)粉或SiO(99.99%)粉作为Si源,高纯NH3(99.99%)气作为N源;将Ga2O3粉和Si粉或SiO粉混合置于氧化铝陶瓷舟中,此陶瓷舟置于水平管式炉中央加热区处,密封水平管式炉;使用机械泵和扩散泵对水平管式炉抽真空,使炉内真空度抽至9×10‑3 Pa;通入Ar气,并对水平管式炉进行加热,当管式炉温度达到1050℃时,通入的Ar气被替换为250sccm的NH3气并保持3小时,然后,停止加热,关掉NH3气,通入Ar气,自然冷却到室温,最后在氧化铝陶瓷舟中得到淡黄色的粉末;将得到的粉末在HF 、HNO3和HCI混合溶液中清洗,然后放进烘箱中,在40℃下烘干,得到产物。 |
地址 |
830046 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市天山区胜利路14号 |