发明名称 PROCEDE DE PREPARATION DE SILICIUM A L'ETAT SOLIDE
摘要 <p>La présente invention concerne un procédé de préparation de silicium (11) à l'état solide supporté sur une couche (40) de carbure de silicium fracturée comportant au moins les étapes consistant à : d) disposer d'un moule (1) dans lequel est ménagé au moins un logement (2) délimité par des parois (3) destinées à constituer un support pour le moulage de silicium (10) à l'état fondu, e) mettre en contact lesdites parois (3) avec du silicium (10) à l'état fondu, et f) soumettre ledit silicium (10) à l'état fondu à des conditions propices à sa solidification dans ledit logement (2), ledit procédé étant caractérisé en ce que la face interne (4) desdites parois (3) est formée d'un graphite destiné à être mis en contact avec le silicium (10) à l'état fondu et présentant un coefficient de dilatation thermique alpha vérifiant, sur une plage de température allant de la température ambiante à la température de fusion du silicium, la relation suivante : alpha désignant le coefficient de dilatation thermique du silicium et alpha désignant le coefficient de dilatation thermique du carbure de silicium.</p>
申请公布号 FR2985524(A1) 申请公布日期 2013.07.12
申请号 FR20120050204 申请日期 2012.01.09
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIESALTERNATIVES 发明人 GARANDET JEAN-PAUL;DREVET BEATRICE;FLAHAUT EMMANUEL;HUGUET CHARLES;PONTHENIER DAMIEN
分类号 C30B11/00;C01B33/02;H01L31/042 主分类号 C30B11/00
代理机构 代理人
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