发明名称 |
PROCEDE DE PREPARATION DE SILICIUM A L'ETAT SOLIDE |
摘要 |
<p>La présente invention concerne un procédé de préparation de silicium (11) à l'état solide supporté sur une couche (40) de carbure de silicium fracturée comportant au moins les étapes consistant à : d) disposer d'un moule (1) dans lequel est ménagé au moins un logement (2) délimité par des parois (3) destinées à constituer un support pour le moulage de silicium (10) à l'état fondu, e) mettre en contact lesdites parois (3) avec du silicium (10) à l'état fondu, et f) soumettre ledit silicium (10) à l'état fondu à des conditions propices à sa solidification dans ledit logement (2), ledit procédé étant caractérisé en ce que la face interne (4) desdites parois (3) est formée d'un graphite destiné à être mis en contact avec le silicium (10) à l'état fondu et présentant un coefficient de dilatation thermique alpha vérifiant, sur une plage de température allant de la température ambiante à la température de fusion du silicium, la relation suivante : alpha désignant le coefficient de dilatation thermique du silicium et alpha désignant le coefficient de dilatation thermique du carbure de silicium.</p> |
申请公布号 |
FR2985524(A1) |
申请公布日期 |
2013.07.12 |
申请号 |
FR20120050204 |
申请日期 |
2012.01.09 |
申请人 |
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIESALTERNATIVES |
发明人 |
GARANDET JEAN-PAUL;DREVET BEATRICE;FLAHAUT EMMANUEL;HUGUET CHARLES;PONTHENIER DAMIEN |
分类号 |
C30B11/00;C01B33/02;H01L31/042 |
主分类号 |
C30B11/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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