| 摘要 |
<p>L'invention porte sur un procédé de fabrication d'une cellule mémoire non volatile à double grille (100), dans lequel on effectue les étapes de: o formation au moins partielle d'une grille (130) du transistor de commande comprenant notamment l'obtention d'un relief (132) sur un substrat (160, 162, 133); o formation d'une grille de contrôle (140) du transistor de mémorisation, comprenant une étape de dépôt d'une couche (210) en un matériau semi conducteur de manière à recouvrir au moins le relief (132) de la grille (130) du transistor de commande; caractérisé en ce que la formation de la grille de contrôle (140) du transistor de mémorisation comprend en outre les étapes suivantes de: dépôt sur la couche (210) en un matériau semi conducteur d'une autre couche (220); polissage mécano chimique (CMP) effectué de manière à retirer, au dessus du relief (132) de la grille (130) du transistor de commande, ladite autre couche (220) et une partie de la couche (210) en un matériau semi conducteur; retrait de ladite autre couche (220) restante de part et d'autre du relief (132) de la grille (130) du transistor de commande; gravure de la couche (210) en un matériau semi conducteur de sorte à retirer ce matériau au dessus du relief (132) de la grille (130) du transistor de commande et à ne le laisser subsister qu'un motif (142) sur au moins un flanc du relief (132) de la grille (130) du transistor de commande.</p> |
