| 摘要 |
一种多重位元格(Multiple-bit per Cell、MBC)非挥发记忆体装置、方法、及系统，其中用于写入资料至记忆体阵列/自记忆体阵列读取资料的控制器藉由以下方式控制资料极性：选择性反转资料字以最大化将在(M-1)虚拟页内程式化的位元数，及选择性反转资料字以最小化将在第M虚拟页中程式化的位元数，其中M是每记忆体格中的位元数。在反转资料字时设定对应的极性控制旗标。在从M个虚拟页读取时，根据对应的极性旗标选择性反转资料。减少最高临限电压程式化状态的数目。这使得程式化记忆体格临限电压分布更紧密、减少功率消耗、减少程式化时间、及提高元件可靠性。 |
