发明名称 场发射元件及其制备方法
摘要 本发明系关于一种场发射元件,该场发射元件包括一奈米碳管场发射线材及一包覆在该奈米碳管场发射线材外表面的支撑体保护层。本发明还涉及一种场发射元件的制备方法,其包括以下步骤:提供一奈米碳管场发射线材;在该奈米碳管线材外表面形成一支撑体保护层;按照预定长度切割该奈米碳管场发射线材,并在切割后对其进行表面处理,形成场发射元件
申请公布号 TWI401209 申请公布日期 2013.07.11
申请号 TW095123832 申请日期 2006.06.30
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 新北市土城区自由街2号 发明人 刘亮;姜开利;范守善;陈清龙;李锡福;陈杰良
分类号 C01B31/02;H01J37/073 主分类号 C01B31/02
代理机构 代理人
主权项
地址 新北市土城区自由街2号
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