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Es wird eine Halbleiterdiode bereitgestellt. Die Halbleiterdiode enthält einen monokristallinen Siliziumhalbleiterkörper (40), der ein erstes Halbleitergebiet (1) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, das sich zu einer ersten Oberfläche (101) des Halbleiterkörper (40) erstreckt und eine erste maximale Dotierkonzentration aufweist, und ein zweites Halbleitergebiet (2) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, das mit dem ersten Halbleitergebiet (1) einen pn-Übergang (14) ausbildet, enthält. Die Halbleiterdiode enthält weiterhin ein polykristallines Siliziumhalbleitergebiet (10A, 11) vom ersten Leitfähigkeitstyp mit einer zweiten maximalen Dotierkonzentration, die höher ist als die erste maximale Dotierkonzentration, und an das erste Halbleitergebiet (1) auf der ersten Oberfläche (101) angrenzend, eine auf dem polykristallinen Siliziumhalbleitergebiet (10A, 11) angeordnete und mit dem polykristallinen Halbleitergebiet in elektrischem Kontakt stehende erste Metallisierung (6) und eine Randabschlussstruktur (1b, 9, 10b–d), die bei dem ersten Halbleitergebiet (1) angeordnet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterdiode bereitgestellt.
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