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Plasmabearbeitungsvorrichtung (1), umfassend: eine Prozesskammer (4), die aus einem Metall gefertigt und ausgestaltet ist, um darin ein einer Plasmabearbeitung zu unterziehendes Substrat (G) aufzunehmen; eine Quelle für elektromagnetische Wellen (34), die eine elektromagnetische Welle zuführt, die notwendig ist, um in der Prozesskammer (4) Plasma zu erregen, wobei die Frequenz der zugeführten elektromagnetischen Welle gleich oder kleiner als 2 GHz ist; mehrere dielektrische Elemente (25), die an einer Abdeckung (3) der Prozesskammer (4) vorgesehen sind und ausgestaltet sind, um die elektromagnetische Welle, die von der Quelle für elektromagnetische Wellen (34) zugeführt wird, in das Innere der Prozesskammer (4) zu übertragen, wobei ein Teil jedes dielektrischen Elements (25) zu dem Inneren der Prozesskammer (4) freigelegt ist; einen Oberflächenwellen-Ausbreitungsabschnitt (51), der benachbart zu den dielektrischen Elementen (25) eingebaut und ausgestaltet ist, um die elektromagnetische Welle entlang einer Metalloberfläche der Abdeckung (3) auszubreiten, die zu dem Inneren der Prozesskammer (4) freigelegt ist; und ein die mehreren dielektrischen Elemente (25) umgebendes Ausbreitungshindernis (50, 50', 50'', 225) in Form einer Nut (50, 50', 50'') und/oder eines Vorsprungs (225), wobei das Ausbreitungshindernis (50, 50', 50'', 225) in der Metalloberfläche der Abdeckung (3) ausgebildet ist, um die Ausbreitung der elektromagnetischen Welle entlang des Oberflächenwellen-Ausbreitungsabschnitts (51) über das Ausbreitungshindernis (50, 50', 50'', 225) hinaus zu verhindern.
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