| 摘要 |
Bei einem Verfahren des Anwachsens eines AlGaN-Halbleitermaterials wird im Vergleich zu der typischerweise verwendeten stöchiometrischen Menge ein Ga-Überschuss eingesetzt. Der Ga-Überschuss führt zu der Bildung von Bandstruktur-Potenzialschwankungen, welche die Effizienz der strahlenden Rekombination verbessern und die Lichtausbeute optoelektronischer Vorrichtungen, insbesondere ultraviolettes Licht emittierender Dioden, die unter Anwendung des Verfahrens hergestellt werden, erhöhen. Es werden für die Verwendung zusammen mit dem Verfahren des Anwachsens unter Ga-Überschuss auch verschiedene Verbesserungen des Designs und der Leistungsfähigkeit von UV-LEDs bereitgestellt. Vorrichtungen, die mit dem Verfahren hergestellt werden, können für die Wasserreinigung, für die Oberflächensterilisierung, in Kommunikationsverfahren und in der Datenspeicherung und beim Datenabruf verwendet werden. |
