| 摘要 |
Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist ein Verfahren zum Herstellen eines Sialon-Phosphors Folgendes auf: ein Mischen eines Silizium-Ausgangsstoffs und eines Aluminium-Ausgangsstoffs und ein Sintern der Mischung, um einen ersten gesinterten Körper zu bilden; und ein Mischen des ersten gesinterten Körpers und eines Ausgangsstoffs für ein aktives Material und ein Wärmebehandeln der Mischung, um einen zweiten gesinterten Körper zu bilden. Das heißt, das Verfahren zum Herstellen eines Sialon-Phosphors gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beinhaltet zuerst ein Bilden des ersten gesinterten Körpers, welcher als ein Host-Material zum stabilen Sicherstellen einer Kristallstruktur dient, und dann ein Mischen des aktiven Materials und des ersten gesinterten Körpers, um die Rolle des aktiven Materials ohne ein Opfern der Kristallstruktur des ersten gesinterten Körpers zu erhalten. Eventuell ist das aktive Material in der Kristallstruktur des ersten gesinterten Körpers in einer leeren Sphäre, welche nicht auf der Si- oder Al-Position platziert ist, platziert, wodurch die Verschlechterung der Kristallinität des ersten gesinterten Körpers verhindert wird. Zusätzlich ist die Kristallstruktur des Sialon-Phosphors, welcher durch das oben beschriebene Verfahren hergestellt wird, stabil und der Sialon-Phosphor zeigt eine überdurchschnittliche thermische Stabilität bei einer hohen Temperatur und demnach ist die Verschlechterung der Effizienz davon, welche durch eine verkürzte Lebensdauer davon verursacht wird, extrem gering auch über einen Langzeitbetrieb. Zusätzlich ist die Kristallstruktur des Sialon-Phosphors in dem Gehäuse für eine Licht emittierenden Vorrichtung, welche den Sialon-Phosphor aufweist, welcher durch das obenstehend beschriebene Verfahren hergestellt wird, stabil und demnach kann eine Verschlechterung in der Luminanz, welche durch eine Verschlechterung der Kristallinität verursacht wird, verhindert werden.
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