发明名称 |
HERSTELLUNG VON METALL-HARTMASKEN |
摘要 |
Die vorliegende Offenbarung stellt Verfahren zum Herstellen einer Metall-Hartmaske und eine durch solche Verfahren hergestellte Metall-Hartmaske bereit. Ein Verfahren umfasst Einströmen mindestens eines Metall-Reaktionsmittelgases in eine Reaktionskammer, dazu ausgerichtet, eine chemische Gasabscheidung (CVD) durchzuführen, wobei das mindestens eine Metall-Reaktionsmittelgas ein Metall-Halogen-Gas oder ein metall-organisches Gas enthält. Das Verfahren umfasst ferner Abscheiden einer Hartmasken-Metallschicht durch CVD unter Verwendung des mindestens einen Metall-Reaktionsmittelgases.
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申请公布号 |
DE102012206598(A1) |
申请公布日期 |
2013.07.11 |
申请号 |
DE201210206598 |
申请日期 |
2012.04.20 |
申请人 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. |
发明人 |
LIN, SU-HORNG;WU, LIN-JUNG;YANG, CHI-MING;LIN, CHIN-HSIANG |
分类号 |
C23C16/34;C23C16/04;C23C16/08;C23C16/56;H01L21/033 |
主分类号 |
C23C16/34 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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