发明名称 |
Dotierte Graphendünnschichten mit verringertem Flächenwiderstand |
摘要 |
Es werden Techniken zum Erhöhen der Leitfähigkeit von Graphendünnschichten durch chemisches Dotieren bereitgestellt. Gemäß einem Aspekt beinhaltet ein Verfahren zum Erhöhen der Leitfähigkeit einer Graphendünnschicht die folgenden Schritte. Die Graphendünnschicht wird aus einer oder mehreren Graphenlagen gebildet. Die Graphenlagen werden mit einer Lösung eines Einelektronen-Oxidationsmittels behandelt, das zum Dotieren der Graphenlagen dient, um deren Leitfähigkeit und dadurch die Gesamtleitfähigkeit der Dünnschicht zu erhöhen. Die Graphendünnschicht kann gebildet werden, bevor die Graphenlagen mit der Lösung des Einelektronen-Oxidationsmittels behandelt werden. Alternativ können die Graphenlagen mit der Lösung des Einelektronen-Oxidationsmittels behandelt werden, bevor die Graphendünnschicht gebildet wird. Es wird auch ein Verfahren zum Herstellen einer transparenten Elektrode aus einer Graphendünnschicht auf einer Fotovoltaikeinheit bereitgestellt.
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申请公布号 |
DE112011102747(T5) |
申请公布日期 |
2013.07.11 |
申请号 |
DE201111102747T |
申请日期 |
2011.06.07 |
申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
AFZALI-AR-DAKANI, ALI;BOL, AGEETH ANKE;TULEVSKI, GEORGE STOJAN |
分类号 |
H01B1/04;C01B31/04;H01L51/00;H01L51/44 |
主分类号 |
H01B1/04 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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