发明名称 Nanodraht-Floating-Gate-Transistor
摘要 Ein Floating-Gate-Transistor, eine Speicherzelle und ein Verfahren zum Fertigen einer Einheit. Der Floating-Gate-Transistor beinhaltet einen oder mehrere Gategesteuerte Drähte, die eine im Wesentlichen zylindrische Form aufweisen. Der Floating-Gate-Transistor beinhaltet eine erste Gate-Dielektrikumschicht, die die Gate-gesteuerten Drähte zumindest teilweise bedeckt. Der Floating-Gate-Transistor beinhaltet des Weiteren eine Vielzahl von Gate-Kristallen, die unzusammenhängend auf der ersten Gate-Dielektrikumschicht angeordnet sind. Der Floating-Gate-Transistor beinhaltet außerdem eine zweite Gate-Dielektrikumschicht, die die Vielzahl von Gate-Kristallen und die erste Gate-Dielektrikumschicht bedeckt.
申请公布号 DE102012224274(A1) 申请公布日期 2013.07.11
申请号 DE201210224274 申请日期 2012.12.21
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 BANGSARUNTIP, SARUNYA;COHEN, GUY M.;MAJUMDAR, AMLAN;SLEIGHT, JEFFREY W.
分类号 H01L29/788;B82Y10/00;B82Y40/00;H01L27/115;H01L29/792 主分类号 H01L29/788
代理机构 代理人
主权项
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