发明名称 |
Nanodraht-Floating-Gate-Transistor |
摘要 |
Ein Floating-Gate-Transistor, eine Speicherzelle und ein Verfahren zum Fertigen einer Einheit. Der Floating-Gate-Transistor beinhaltet einen oder mehrere Gategesteuerte Drähte, die eine im Wesentlichen zylindrische Form aufweisen. Der Floating-Gate-Transistor beinhaltet eine erste Gate-Dielektrikumschicht, die die Gate-gesteuerten Drähte zumindest teilweise bedeckt. Der Floating-Gate-Transistor beinhaltet des Weiteren eine Vielzahl von Gate-Kristallen, die unzusammenhängend auf der ersten Gate-Dielektrikumschicht angeordnet sind. Der Floating-Gate-Transistor beinhaltet außerdem eine zweite Gate-Dielektrikumschicht, die die Vielzahl von Gate-Kristallen und die erste Gate-Dielektrikumschicht bedeckt. |
申请公布号 |
DE102012224274(A1) |
申请公布日期 |
2013.07.11 |
申请号 |
DE201210224274 |
申请日期 |
2012.12.21 |
申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
BANGSARUNTIP, SARUNYA;COHEN, GUY M.;MAJUMDAR, AMLAN;SLEIGHT, JEFFREY W. |
分类号 |
H01L29/788;B82Y10/00;B82Y40/00;H01L27/115;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L29/788 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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