发明名称 |
TUNABLE SEMICONDUCTOR LASER HAVING AN EXTERNAL GRATING AND REPLACEABLE LASER DIODE |
摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Lasereinrichtung (1) mit einem Halbleiterlasermaterial (14) zur Erzeugung von Licht einer ersten Wellenlänge, wobei das Halbleiterlasermaterial (14) zur Erzeugung von Licht der ersten Wellenlänge lösbar in die Lasereinrichtung (1) integriert ist, wobei der Lasereinrichtung (1) ein Halbleiterlasermaterial (140) zur Erzeugung von Licht einer zweiten Wellenlänge zugeordnet ist, und wobei das Halbleiterlasermaterial (14) zur Erzeugung von Licht der ersten Wellenlänge durch das Halbleiterlasermaterial (140) zur Erzeugung von Licht der zweiten Wellenlänge austauschbar ist. Eine Quantenkaskaden-Laserdiode (14,140) befindet sich in einem externem Resonator mit einem Beugungsgitter (19) auf einem Drehtisch (17) zur Wellenlängenselektion. Ein Parabolspiegel (15) erzeugt ein paralleles Bündel zur Ausleuchtung des Gitters (19). Nach Auswechslung der Laserdiode (14,140) wird der Resonator mit Hilfe des 6-Achsen Verstellers (16) und dem Positionierer (18) neu ausgerichtet. Das Ausgangsbündel wird mit Hilfe einer Linse (20) kollimiert, letztere befindet sich ebenfalls auf einem 6-Achsen Positionierer (21). |
申请公布号 |
WO2013102541(A1) |
申请公布日期 |
2013.07.11 |
申请号 |
WO2012EP75394 |
申请日期 |
2012.12.13 |
申请人 |
HUMBOLDT-UNIVERSITAET ZU BERLIN |
发明人 |
MASSELINK, WILLIAM TED;SEMTSIV, MYKHAYLO PETROVYCH;KISCHKAT, JAN |
分类号 |
H01S3/086;H01S3/08;H01S3/081;H01S3/1055;H01S5/00;H01S5/022;H01S5/14 |
主分类号 |
H01S3/086 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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