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Schaltungsanordnung zur Ansteuerung eines Leistungsschalters, insbesondere eines MOSFET oder IGBT, mit einer Gegentaktstufe zur Beaufschlagung des Gate-Anschlusses des Leistungsschalters, wobei die Gegentaktstufe ein erstes Schaltelement T1 und zweites komplementäres Schaltelement T2 aufweist, wobei zwischen dem ersten Schaltelement T1 und dem Gate-Anschluß des Leistungsschalters ein Einschaltwiderstand R1 direkt geschaltet ist, und wobei zwischen dem komplementären Schaltelement T2 und dem Gate-Anschluß des Leistungsschalters ein Ausschalt- bzw. Entladungswiderstand R2 und parallel dazu eine Serienschaltung, bestehend aus einem Kondensator C1 und einem weiteren Widerstand R3 geschaltet ist.
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