| 摘要 |
Halbleitervorrichtung, die umfasst: ein Halbleitersubstrat (1) eines ersten Leitungstyps mit einer ersten Hauptoberfläche und mit einer zweiten Hauptoberfläche, die einander gegenüberliegen; ein erstes Störstellengebiet (3) des ersten Leitungstyps, das durch erste Störstellen des ersten Leitungstyps mit einer maximalen Störstellenkonzentration in einer ersten Tiefe von der ersten Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats ausgebildet ist, wobei das erste Störstellengebiet in einem Gebiet ausgebildet ist, das der ersten Tiefe entspricht und von der ersten Hauptoberfläche beabstandet ist; ein zweites Störstellengebiet (2) eines zweiten Leitungstyps, das durch zweite Störstellen des zweiten Leitungstyps mit einer maximalen Störstellenkonzentration in einer zweiten Tiefe von der ersten Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats, die kleiner als die erste Tiefe ist, ausgebildet ist, wobei das zweite Störstellengebiet von einem Gebiet ausgebildet ist, das der zweiten Tiefe entspricht, sodass es das erste Störstellengebiet erreicht; ein drittes Störstellengebiet (4) des ersten Leitungstyps, das durch dritte Störstellen des ersten Leitungstyps mit einer maximalen Störstellenkonzentration bei der ersten Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats ausgebildet ist, wobei das dritte Störstellengebiet von der ersten Hauptoberfläche bis in eine vorgegebene Tiefe und von dem ersten Störstellengebiet beabstandet ausgebildet ist, wobei das zweite Störstellengebiet dazwischen liegt; einen Graben (1a), der sich durch das dritte Störstellengebiet (4), durch das zweite Störstellengebiet (2) und durch das erste Störstellengebiet (3) erstreckt und ein Gebiet des ersten Leitungstyps des Halbleitersubstrats (1) erreicht; eine Isolierlage (7), die auf einer Seitenwand des Grabens (1a) so ausgebildet ist, dass sie das dritte Störstellengebiet (4), das zweite Störstellengebiet (2) und das erste Störstellengebiet (3), die auf der Seitenwand frei liegen, ...
|
