| 发明名称 |
一种晶圆结构以及应用其的功率器件 |
| 摘要 |
本发明提供了一种晶圆结构以及应用其的功率器件，其中所述晶圆结构包括高浓度掺杂的第一掺杂层；依次位于所述第一掺杂层上的第二掺杂层和第三掺杂层；其中，所述第三掺杂层的掺杂浓度小于所述第二掺杂层或为本征掺杂。依据本发明的实施例不仅可以提高功率器件的耐压，同时击穿电压的稳定性也得到了较大的改善，并具有更强的工艺容差能力和更高的终端可靠性。 |
| 申请公布号 |
CN103199104A |
申请公布日期 |
2013.07.10 |
| 申请号 |
CN201310069766.0 |
申请日期 |
2013.03.05 |
| 申请人 |
矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 |
发明人 |
廖忠平 |
| 分类号 |
H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种晶圆结构，其特征在于，包括：高浓度掺杂的第一掺杂层；依次位于所述第一掺杂层上的第二掺杂层和第三掺杂层；其中，所述第三掺杂层的掺杂浓度小于所述第二掺杂层或为本征掺杂。 |
| 地址 |
310012 浙江省杭州市文三路90号东部软件园科技大厦A1501 |
