主权项 |
一种基于多晶硅掩膜的硅波导制备方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:步骤一,对洁净的绝缘体上硅片(1)进行干氧氧化处理,氧化温度850~950°C,O2流量15~20sccm,N2流量45~60sccm,氧化时间10~25min,形成20~30nm厚的二氧化硅膜(2);步骤二,利用感应耦合等离子增强化学气相淀积在二氧化硅膜上形成一层100~400nm厚的多晶硅(3);步骤三,旋涂1~3μm厚的光刻胶(4)使其覆盖多晶硅(3);步骤四,用步进式光刻机进行光刻,焦距‑1~0.5,曝光时间120ms~160ms,形成光刻胶图像(5);步骤五,用深硅感应耦合等离子刻蚀去除没有被光刻胶图像(5)覆盖的多晶硅,SF6流量40~80sccm,C4F8流量40~60sccm,等离子功率700~800W,刻蚀时间30~35s,然后,先后用丙酮和酒精洗去残余的光刻胶图像,形成多晶硅掩膜(6);步骤六,进行再次干氧氧化处理,氧化温度1000~1100°C,O2流量15~20sccm,N2流量45~60sccm,氧化时间30~45min,形成氧化层(7)与剩余多晶硅掩膜(8);步骤七,在室温25°C下利用氟化铵腐蚀液去除氧化层,利用碱性溶液去除残余多晶硅,得到180~350nm厚的硅波导(9)。 |