| 发明名称 | 具有垂直鳍状件的鳍式场效应晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 在形成器件的方法中，蚀刻(110)硅衬底以在(110)硅衬底中形成第一沟槽，其中，位于第一沟槽之间的(110)硅衬底的剩余部分形成硅条。硅条的侧壁具有(111)表面方向。用电介质材料填充第一沟槽以形成浅沟槽隔离(STI)区域。去除硅条以形成位于STI区域之间的第二沟槽。实施外延以在第二沟槽中生长半导体条。对STI区域的顶部部分开槽，位于STI区域的被去除顶部部分之间的半导体条的顶部部分以形成半导体鳍状件。本发明还公开了具有垂直鳍状件的鳍式场效应晶体管及其形成方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103199019A | 申请公布日期 | 2013.07.10 |
| 申请号 | CN201210193763.3 | 申请日期 | 2012.06.12 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 刘铭棋 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种方法，包括：蚀刻(110)硅衬底以在所述(110)硅衬底中形成第一沟槽，其中位于所述第一沟槽之间的所述(110)硅衬底的剩余部分形成硅条，所述硅条的侧壁具有(111)表面方向；用电介质材料填充所述第一沟槽以形成浅沟槽隔离(STI)区域；去除所述硅条以在所述STI区域之间形成第二沟槽；实施外延以在所述第二沟槽中生长半导体条；以及对所述STI区域的顶部部分开槽，其中位于所述STI区域的被去除顶部部分之间的所述半导体条的顶部部分形成半导体鳍状件。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||