发明名称 |
激光器二极管 |
摘要 |
本发明提供能够防止电流窄化层剥离的激光器二极管。该激光器二极管包括台部,该台部依次具有第一多层膜反射器、有源层和第二多层膜反射器,并且该台部具有使注入到有源层的电流变窄的电流窄化层和与电流窄化层相邻的缓冲层。电流窄化层通过氧化包含Al的第一被氧化层而形成。缓冲层通过氧化第二被氧化层而形成,第二被氧化层的材料和厚度选择为使得其氧化速率大于第一多层膜反射器和第二多层膜反射器的氧化速率,而小于第一被氧化层的氧化速率。缓冲层的厚度为10nm以上。 |
申请公布号 |
CN102025108B |
申请公布日期 |
2013.07.10 |
申请号 |
CN201010275095.X |
申请日期 |
2010.09.06 |
申请人 |
索尼公司 |
发明人 |
增井勇志;幸田伦太郎;大木智之;荒木田孝博;城岸直辉;山内义则 |
分类号 |
H01S5/22(2006.01)I;H01S5/183(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/22(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
彭久云 |
主权项 |
一种激光器二极管,包括:台部,依次具有第一多层膜反射器、有源层和第二多层膜反射器,并且具有使注入到所述有源层的电流变窄的电流窄化层和与所述电流窄化层相邻的缓冲层,其中所述电流窄化层通过氧化包含Al的第一被氧化层而形成,所述缓冲层通过氧化第二被氧化层而形成,选择该第二被氧化层的材料和厚度,以使得该第二被氧化层的氧化速率大于所述第一多层膜反射器和所述第二多层膜反射器的氧化速率并小于所述第一被氧化层的氧化速率,并且,所述缓冲层的厚度为10nm以上,所述电流窄化层代替所述第一多层膜反射器或所述第二多层膜反射器中的低折射率层,所述缓冲层代替所述第一多层膜反射器或所述第二多层膜反射器中的高折射率层。 |
地址 |
日本东京都 |