发明名称 | 光学装置的制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种光学装置的制备方法,包括:配置0.01-1MOL/L硝酸镍溶液;形成电镀液;添加硝酸溶液于该电镀溶液中,将其pH值调整至3-4之间;利用阴极电镀方式在一导电基材上形成一镍氧化物薄膜,完成一镍氧化物薄膜电极具有该透明导电玻璃基材及该镍氧化物薄膜,其中该镍氧化物薄膜电极具有一光学调制能力范围;以及不以电化学方法活化该镍氧化物薄膜电极,而以温度约200℃-300℃进行热处理,以使该镍氧化物薄膜电极具有良好的锂离子嵌入/迁出的性质,并增广该光学调制能力范围。本发明适用于各种需要使用光学装置的制备方法的场合。 | ||
申请公布号 | CN102191526B | 申请公布日期 | 2013.07.10 |
申请号 | CN201010127932.4 | 申请日期 | 2010.03.19 |
申请人 | 盛贸科技股份有限公司 | 发明人 | 廖家庆 |
分类号 | C25D9/08(2006.01)I | 主分类号 | C25D9/08(2006.01)I |
代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健;王俊民 |
主权项 | 一种光学装置的制备方法,其特征在于:所述方法包括: 配置0.01‑1mol/L硝酸镍溶液; 形成电镀液; 添加硝酸溶液于该电镀溶液中,将其pH值调整至3‑4之间; 利用阴极电镀方式在一透明导电基材上形成一镍氧化物薄膜; 完成一镍氧化物薄膜电极,其中该镍氧化物薄膜电极具有该透明导电基材及该镍氧化物薄膜,且其中该镍氧化物薄膜电极具有一光学调制能力范围;以及 不以电化学方法活化该镍氧化物薄膜电极,而以温度200℃‑300℃进行热处理,以使该镍氧化物薄膜电极具有良好的锂离子嵌入/迁出的性质,并增广该光学调制能力范围。 | ||
地址 | 中国台湾新竹市埔顶路29号1楼 |