| 发明名称 | 双温区还原法制备黑色二氧化钛的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种双温区还原法制备黑色二氧化钛的方法，将二氧化钛和高活性金属隔开一定距离地置于具有负压的密闭系统中，分别将所述二氧化钛和高活性金属加热至不同的温度热处理规定的时间，以使所述密闭系统的中的氧分压低于二氧化钛的平衡氧分压从而所述二氧化钛被还原而得到黑色二氧化钛；其中，将所述高活性金属加热至第一温度，将所述二氧化钛加热至低于所述第一温度的第二温度，受热的高活性金属与所述密闭系统的中氧气反应从而降低所述密闭系统的氧分压进而使所述密闭系统的氧分压低于二氧化钛的平衡氧分压。 | ||
| 申请公布号 | CN103191707A | 申请公布日期 | 2013.07.10 |
| 申请号 | CN201310153648.8 | 申请日期 | 2013.04.28 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 黄富强;汪宙;杨重寅;林天全;尹浩 |
| 分类号 | B01J21/06(2006.01)I;B01J37/16(2006.01)I | 主分类号 | B01J21/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人 | 曹芳玲;郑优丽 |
| 主权项 | 一种双温区还原法制备黑色二氧化钛的方法，其特征在于，将二氧化钛和高活性金属隔开一定距离地置于具有负压的密闭系统中，分别将所述二氧化钛和高活性金属加热至不同的温度热处理规定的时间，以使所述密闭系统的中的氧分压低于二氧化钛的平衡氧分压从而所述二氧化钛被还原而得到黑色二氧化钛；其中，将所述高活性金属加热至第一温度，将所述二氧化钛加热至低于所述第一温度的第二温度，受热的高活性金属与所述密闭系统的中氧气反应从而降低所述密闭系统的氧分压进而使所述密闭系统的氧分压低于二氧化钛的平衡氧分压。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||