| 发明名称 | 非易失性存储元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的非易失性存储元件(10)包括：基板(11)；在基板(11)上按顺序形成的下部电极层(15)和电阻层(16)；在电阻层(16)上形成的电阻变化层(31)；在下部电极层(15)的上方形成的配线层(20)；介于基板(11)与配线层(20)之间，以从配线层(20)到达电阻变化层(31)的方式形成的接触孔(26)且至少覆盖下部电极层(15)和电阻层(16)的层间绝缘层(17)；在接触孔(26)中以与电阻变化层(31)和配线层(20)连接的方式形成的上部电极层(19)，电阻变化层(31)的电阻值通过在下部电极层(15)与上部电极层(19)之间施加电脉冲而可逆地变化。 | ||
| 申请公布号 | CN102239558B | 申请公布日期 | 2013.07.10 |
| 申请号 | CN200980148805.8 | 申请日期 | 2009.12.04 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 川岛良男;三河巧;魏志强;姬野敦史 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;H01L49/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种非易失性存储元件，其特征在于，包括：基板；形成于所述基板上的下部电极层；电阻层，其形成于所述下部电极层上，包含氧不足型金属氧化物，其中该氧不足型金属氧化物是由含有选自过渡金属的一种或者多种元素的金属被氧化后而形成的；电阻变化层，其形成于所述电阻层上，包含氧含有量比该电阻层多的所述氧不足型金属氧化物；在所述下部电极层上方形成的配线层；层间绝缘层，其位于所述基板与所述配线层之间，以从所述配线层到达所述电阻变化层的方式形成有接触孔，至少覆盖所述下部电极层和所述电阻层；和上部电极层，其在所述接触孔中以与所述电阻变化层和所述配线层连接的方式形成，其中所述电阻变化层以其表面在所述接触孔的底部露出的方式形成，所述上部电极层以其下表面与所述电阻变化层连接的方式埋入所述接触孔而形成，并且所述电阻变化层的电阻值通过在所述下部电极层和所述上部电极层之间施加电脉冲而可逆地变化。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||