用于CMOS图像传感器的结合处理

摘要

本发明提供了一种用于CMOS图像传感器的结合处理。本发明还提供了一种制造集成电路(IC)的方法。该方法包括：在衬底的前侧上形成电器件；在衬底的前侧上形成顶部金属焊盘，该顶部金属焊盘连接至电器件；在衬底的前侧上形成钝化层，顶部金属焊盘被嵌入钝化层中；在钝化层中形成开口，使顶部金属焊盘暴露；在衬底中形成深沟槽；将导电材料填充在深沟槽和开口中，得到深沟槽中的晶圆通孔(TWV)部件和开口中的焊盘-TWV部件，其中，顶部金属焊盘通过焊盘-TWV部件连接至TWV部件；以及进行抛光处理以去除多余的导电材料，形成基本平坦的表面。

主权项

一种制造集成电路(IC)的方法，包括：在衬底的前侧上形成电器件；在所述衬底的所述前侧上形成顶部金属焊盘，所述顶部金属焊盘连接至所述电器件；在所述衬底的所述前侧上形成钝化层，所述顶部金属焊盘被嵌入所述钝化层中；在所述钝化层中形成开口，使所述顶部金属焊盘暴露；在所述衬底中形成深沟槽；将导电材料填充在所述深沟槽和所述开口中，得到所述深沟槽中的晶圆通孔(TWV)部件和开口中的焊盘‑TWV部件，其中，所述顶部金属焊盘通过所述焊盘‑TWV部件连接至所述TWV部件；以及去除多余的导电材料，形成平坦的表面，在去除所述多余的导电材料之后，在所述衬底的所述前侧上形成介电层；从后侧研磨所述衬底，以使所述TWV部件暴露；以及从所述后侧蚀刻划线区域中的所述衬底以形成划线沟槽。